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簡要描述:廣電計量破壞性物理分析,DPA測試 元器件失效分析提供覆蓋被動元件、分立器件和集成電路在內(nèi)的元器件破壞性物理分析(DPA)服務,其中針對先進半導體?藝,具備覆蓋7nm以下芯片DPA分析能?,將問題鎖定在具體芯片層或者μm范圍內(nèi),針對有水汽控制要求的宇航級空封器件,提供PPM級內(nèi)部水汽成分分析,保證空封元器件特殊使用要求。
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品牌 | 廣電計量 | 服務區(qū)域 | 全國 |
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服務資質(zhì) | CMA/CNAS | 服務周期 | 常規(guī)5-7個工作日 |
服務費用 | 視具體項目而定 |
服務范圍
廣電計量破壞性物理分析,DPA測試 元器件失效分析:集成電路芯片、電子元件、分立器件、機電類器件、線纜及接插件、微處理器、可編程邏輯器件、存儲器、AD/DA、總線接?類、 通?數(shù)字電路、模擬開關、模擬器件、微波器件、電源類等。
檢測標準
●GJB128A-97半導體分?器件試驗方法
●GJB360A-96電子及電?元件試驗方法
●GJB548B-2005微電子器件試驗方法和程序
●GJB7243-2011J用電子元器件篩選技術要求
●GJB40247A-2006J用電子元器件破壞性物理分析方法
●QJ10003—2008進口元器件篩選指南
●MIL-STD-750D半導體分立器件試驗方法
●MIL-STD-883G微電子器件試驗方法和程序
檢測項目
●非破壞性項目:外部目檢、X 射線檢查、PIND、密封、引出端強度、聲學顯微鏡檢查;
●破壞性項目:激光開封、化學開封、內(nèi)部?體成分分析、內(nèi)部目檢、SEM檢查、鍵合強度、剪切強度、粘接強度、IC取芯片、 芯片去層、襯底檢查、PN結染?、DB FIB、熱點檢測、漏電位置檢測、彈坑檢測、ESD測試
相關資質(zhì)
CNAS
服務背景
電子元器件制造?藝質(zhì)量?致性是電子元器件滿足其用途和相關規(guī)范的前提。?量假替翻新元器件充斥著元器件供應市場,如何確定貨架元器件真?zhèn)问抢_元器件使用方的?大難題。
我們的優(yōu)勢
●破壞性物理分析,DPA測試 元器件失效分析提供覆蓋被動元件、分立器件和集成電路在內(nèi)的元器件破壞性物理分析,其中針對先進半導體?藝,具備覆蓋7nm以下芯片DPA分析能力,將問題鎖定在具體芯片層或者μm范圍內(nèi);
●針對有水汽控制要求的宇航級空封器件,提供PPM級內(nèi)部水汽成分分析,保證空封元器件特殊使用要求。
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