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AEC-Q100認(rèn)證試驗(yàn),AECQ評(píng)估認(rèn)證機(jī)構(gòu)

簡(jiǎn)要描述:廣電計(jì)量AEC-Q100認(rèn)證試驗(yàn),AECQ評(píng)估認(rèn)證機(jī)構(gòu),擁有失效分析實(shí)驗(yàn)室AEC-Q技術(shù)團(tuán)隊(duì),執(zhí)行過(guò)大量的AEC-Q測(cè)試案例,積累了豐富的認(rèn)證試驗(yàn)經(jīng)驗(yàn),可為您提供更專(zhuān)業(yè)、更可靠的AEC-Q認(rèn)證試驗(yàn)服務(wù)。

  • 廠商性質(zhì):工程商
  • 更新時(shí)間:2024-11-06
  • 訪問(wèn)次數(shù):1054

詳細(xì)介紹

服務(wù)區(qū)域全國(guó)服務(wù)資質(zhì)CMA/CNAS
服務(wù)周期3-4個(gè)月服務(wù)費(fèi)用視具體項(xiàng)目而定

服務(wù)背景

IC作為重要的車(chē)載元器件部件,是AEC委員會(huì)持續(xù)關(guān)注的重點(diǎn)領(lǐng)域。AEC-Q100對(duì)IC的可靠性測(cè)試可細(xì)分為加速環(huán)境應(yīng)力可靠性、加速壽命模擬可靠性、封裝可靠性、晶圓制程可靠性、電學(xué)參數(shù)驗(yàn)證、缺陷篩查、包裝完整性試驗(yàn),且需要根據(jù)器件所能承受的溫度等級(jí)選擇測(cè)試條件。需要注意的是,第三方難以獨(dú)立完成AEC-Q100的驗(yàn)證,需要晶圓供應(yīng)商、封測(cè)廠配合完成,這更加考驗(yàn)對(duì)認(rèn)證試驗(yàn)的整體把控能力。廣電計(jì)量將根據(jù)客戶(hù)的要求,依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)客戶(hù)的IC進(jìn)行評(píng)估,出具合理的認(rèn)證方案,從而助力IC的可靠性認(rèn)證。

廣電計(jì)量AEC-Q100認(rèn)證試驗(yàn),AECQ評(píng)估認(rèn)證機(jī)構(gòu)擁有失效分析實(shí)驗(yàn)室AEC-Q技術(shù)團(tuán)隊(duì),執(zhí)行過(guò)大量的AEC-Q測(cè)試案例,積累了豐富的認(rèn)證試驗(yàn)經(jīng)驗(yàn),可為您提供更專(zhuān)業(yè)、更可靠的AEC-Q認(rèn)證試驗(yàn)服務(wù)。
產(chǎn)品范圍
集成電路(IC)

測(cè)試周期

3-4個(gè)月,提供全面的認(rèn)證計(jì)劃、測(cè)試等服務(wù)。廣電計(jì)量AEC-Q100認(rèn)證試驗(yàn),AECQ評(píng)估認(rèn)證機(jī)構(gòu)。

測(cè)試項(xiàng)目

序號(hào) 測(cè)試項(xiàng)目 縮寫(xiě) 樣品數(shù)/批 批數(shù) 測(cè)試方法
A組 加速環(huán)境應(yīng)力試驗(yàn)
A1 Preconditioning PC 77 3 J-STD-020、
JESD22-A113
A2 Temperature-Humidity-Bias THB 77 3 JESD22-A101
Biased HAST HAST JESD22-A110
A3 Autoclave AC 77 3 JESD22-A102
Unbiased HAST UHST JESD22-A118
Temperature-Humidity (without Bias) TH JESD22-A101
A4 Temperature Cycling TC 77 3 JESD22-A104、Appendix 3
A5 Power Temperature Cycling PTC 45 1 JESD22-A105
A6 High Temperature Storage Life HSTL 45 1 JESD22-A103
B組 加速壽命模擬試驗(yàn)
B1 High Temperature Operating Life HTOL 77 3 JESD22-A108
B2 Early Life Failure Rate ELFR 800 3 AEC-Q100-008
B3 NVM Endurance, Data Retention, and Operational Life EDR 77 3 AEC-Q100-005
C組 封裝完整性測(cè)試
C1 Wire Bond Shear WBS 最少5個(gè)器件中的30根鍵合線(xiàn) AEC-Q100-001、AEC-Q003
C2 Wire Bond Pull WBP MIL-STD883 method 2011、
AEC-Q003
C3 Solderability SD 15 1 JESD22-B102或 J-STD-002D
C4 Physical Dimensions PD 10 3 JESD22-B100、 JESD22-B108
AEC-Q003
C5 Solder Ball Shear SBS 至少10個(gè)器件的5個(gè)鍵合球 3 AEC-Q100-010、
AEC-Q003
C6 Lead Integrity LI 至少5個(gè)器件的10根引線(xiàn) 1 JESD22-B105
D組 晶圓制造可靠性測(cè)試
D1 Electromigration EM / / /
D2 Time Dependent Dielectric Breakdown TDDB / / /
D3 Hot Carrier Injection HCI / / /
D4 Negative Bias Temperature Instability NBTI / / /
D5 Stress Migration SM / / /
E組 電學(xué)驗(yàn)證測(cè)試
E1 Pre- and Post-Stress Function/Parameter TEST 所有要求做電學(xué)測(cè)試的應(yīng)力試驗(yàn)的全部樣品 供應(yīng)商或用戶(hù)規(guī)格
E2 Electrostatic Discharge Human Body Model HBM 參考測(cè)試規(guī)范 1 AEC-Q100-002
E3 Electrostatic Discharge Charged Device Model CDM 參考測(cè)試規(guī)范 1 AEC-Q100-011
E4 Latch-Up LU 6 1 AEC-Q100-004
E5 Electrical Distributions ED 30 3 AEC Q100-009
AEC Q003
E6 Fault Grading FG - - AEC-Q100-007
E7 Characterization CHAR - - AEC-Q003
E9 Electromagnetic Compatibility EMC 1 1 SAE J1752/3-輻射
E10 Short Circuit Characterization SC 10 3 AEC-Q100-012
E11 Soft Error Rate SER 3 1 JEDEC
無(wú)加速:JESD89-1
加速:JESD89-2或JESD89-3
E12 Lead (Pb) Free LF 參考測(cè)試規(guī)范 參考測(cè)試規(guī)范 AEC-Q005
F組 缺陷篩選測(cè)試
F1 Process Average Testing PAT / / AEC-Q001
F2 Statistical Bin/Yield Analysis SBA / / AEC-Q002
G組 密封封裝完整性測(cè)試
G1 Mechanical Shock MS 15 1 JESD22-B104
G2 Variable Frequency Vibration VFV 15 1 JESD22-B103
G3 Constant Acceleration CA 15 1 MIL-STD883 Method 2001
G4 Gross/Fine Leak GFL 15 1 MIL-STD883 Method 1014
G5 Package Drop DROP 5 1 /
G6 Lid Torque LT 5 1 MIL-STD883 Method 2024
G7 Die Shear DS 5 1 MIL-STD883 Method 2019
G8 Internal Water Vapor IWV 5 1 MIL-STD883 Method 1018

 

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