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簡要描述:超大規(guī)模集成電路動(dòng)態(tài)老煉與測(cè)試失效分析:超?規(guī)模集成電路測(cè)試是確定或評(píng)估?規(guī)模集成電路的功能和電性能的過程,是驗(yàn)證設(shè)計(jì)、監(jiān)控?產(chǎn)、保證質(zhì)量、分析失效以及指導(dǎo)應(yīng)?的重要?段。
產(chǎn)品分類
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品牌 | 廣電計(jì)量 | 服務(wù)區(qū)域 | 全國 |
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服務(wù)資質(zhì) | CNAS認(rèn)可 | 加急服務(wù) | 可提供 |
發(fā)票 | 可提供 | 報(bào)告類型 | 中英文電子/紙質(zhì)報(bào)告 |
服務(wù)范圍
超大規(guī)模集成電路動(dòng)態(tài)老煉與測(cè)試失效分析:處理器、存儲(chǔ)器、AD/DA、接?芯片等?規(guī)模集成電路、適用于各種封裝(DIP、SOP、BGA、PGA、QFP、PLCC、LCC等)。
檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)
l GJB597A-1996半導(dǎo)體集成電路總規(guī)范
l GJB2438A-2002混合集成電路通?規(guī)范
l GJB548B-2005微電子器件試驗(yàn)?法和程序
l GJB7243-2011J用電子元器件篩選技術(shù)要求
l AEC-Q100 STRESS TEST QUALIFICATION FOR INTEGRATED CIRCUITS
l MIT-STD-883E TEST METHOD STANDARD MICROCIRCUITS
l JESD22-A108-A Temperature, Bias, and Operating Life
檢測(cè)項(xiàng)目
試驗(yàn)設(shè)備 | 設(shè)備能? |
超大規(guī)模集成電路動(dòng)態(tài)老煉 | 系統(tǒng)分區(qū):16 區(qū); I/O通道數(shù):128 路; 信號(hào)頻率:100MHz; 向量編程深度:32M; 試驗(yàn)溫度:-10℃?+125℃(±2℃)。 |
超大規(guī)模集成電路測(cè)試 | 能進(jìn)?動(dòng)態(tài)功能測(cè)試、直流參數(shù)測(cè)試、交流參數(shù)測(cè)試;能進(jìn)?常溫測(cè)試、低溫測(cè)試、?溫測(cè)試,溫度范圍:-55℃?+150℃ (±2℃);I/O通道數(shù):512路;信號(hào)頻率:≥200MHz;可升級(jí); 向量編程深度:64M。 |
相關(guān)資質(zhì)
CNAS
服務(wù)背景
超大規(guī)模集成電路動(dòng)態(tài)老煉與測(cè)試失效分析:在半導(dǎo)體集成電路國產(chǎn)化、小型化、高集成、高性能要求的趨勢(shì)下,行業(yè)引入了?量新材料、新?藝和新的器件結(jié)構(gòu),導(dǎo)致集成電路更高的缺陷密度,動(dòng)態(tài)老煉與測(cè)試是保證及提高其可靠性和質(zhì)量?致性的關(guān)鍵?法。
我們的優(yōu)勢(shì)
l 通過對(duì)大規(guī)模集成電路施加特定測(cè)試向量(有效測(cè)試向量),激勵(lì)內(nèi)在缺陷和錯(cuò)誤形成響應(yīng),并通過電應(yīng)力和熱應(yīng)力的加速,在短時(shí)間內(nèi)讓不良品表現(xiàn)出失效現(xiàn)象,并通過測(cè)試?段予以剔除,以達(dá)到提高?規(guī)模集成電路使?可靠性的?的。
l 超?規(guī)模集成電路測(cè)試是確定或評(píng)估?規(guī)模集成電路的功能和電性能的過程,是驗(yàn)證設(shè)計(jì)、監(jiān)控?產(chǎn)、保證質(zhì)量、分析失效以及指導(dǎo)應(yīng)?的重要?段。特別在集成電路?產(chǎn)后期和使?前期不良率驗(yàn)證過程中,采?適當(dāng)?shù)臏y(cè)試向量和全?動(dòng)化的測(cè)試設(shè)備,可全?快速地識(shí)別不良產(chǎn)品,提?產(chǎn)品的交付可靠性。
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